ПРЕЗИДИУМ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
ПОСТАНОВЛЕНИЕ
от 25 декабря 2012 г. N 279
О ДОПОЛНЕНИИ ПОСТАНОВЛЕНИЯ
ПРЕЗИДИУМА РАН ОТ 16 АПРЕЛЯ 2002 Г. N 109 (ПРЕДСТАВЛЕНИЕ
ОТДЕЛЕНИЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ)
Президиум Российской академии наук постановляет:
1. Дополнить пункт 2 постановления Президиума РАН от 16 апреля 2002 г. N 109 "О создании Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН" следующими основными направлениями научной деятельности Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук:
расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот в диапазоне от 50 до 250 ГГц;
исследование принципов функционирования и разработка СВЧ опто-электронных генераторов в частотном диапазоне от сотен мегагерц до сотен гигагерц;
создание терагерцовых устройств на полупроводниковой электронике в частотном диапазоне от 300 до 900 ГГц.
2. Директору Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук доктору технических наук Мальцеву П.П. представить на утверждение в установленном порядке соответствующие изменения в Устав Института.
3. Контроль за выполнением настоящего постановления возложить на академика-секретаря Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН академика Велихова Е.П.
Президент Российской
академии наук
академик
Ю.С.ОСИПОВ
И.о. главного ученого секретаря
Президиума Российской
академии наук
доктор экономических наук
В.В.ИВАНОВ